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英特尔将在2021年推出7nm产品,密度提高2倍,台积电压力无限放大 ...

admin| 2019-5-9 10:30 阅读 152 评论 0

  

信用:英特尔

  英特尔英特尔今天举行了2019年投资者会议,这是自2017年以来的第一次,首席执行官鲍勃·斯旺宣布英特尔将于2021年推出其7纳米工艺,以挑战台积电的5纳米产品。

  现在来看,英特尔的Xe显卡势必将成为领先的7nm产品,其将在2020年推出英特尔第一款分立式10nm GPU之后推出。该公司还推出了其首个冰湖架构框图,并宣布其新的10nm Tiger Lake处理器将在2020年进入市场。

  英特尔过去没有正式公布其7nm工艺的时间表,但斯旺表示,这种快速跟进10nm工艺反映了工艺节点生产的加速。考虑到该公司在其长期推迟的10nm节点上遇到的困难,这一点并不完全令人惊讶,该系列将在6月份上市。

  

信用:英特尔

  英特尔还宣布,数据中心的Xe GP-GPU(通用图形处理单元)将成为第一个上市的7nm产品,将于2021年上市。。

  斯旺指出,该公司的毛利率将随着调整其10纳米至7纳米的产量而增加。英特尔7nm将是该公司首次采用EUV(极紫外)光刻技术工艺大规模生产,与10nm相比,其密度提高了2倍。它还将在其7nm产品中大量使用EMIB和Foveros封装。英特尔还预计晶体管性能将提高15%,每瓦性能提高20%。

  

信用:英特尔

  英特尔Murthy Renduchalata博士深入研究了英特尔在迈向10nm工艺时所遇到的困难,例如在10nm设计目标上承担过多风险。该公司计划通过重新定义流程开发的期望来解决这个问题。英特尔还计划将重点放在其新节点的节点内优化上,这意味着其所有未来流程技术都需要更多“+++”步骤。未来,英特尔计划在每个节点的开头提供一个摩尔定律增益,并在节点的最终修订时提供另一个。

  正如你在上面的图表中所看到的,英特尔将在2021年将其10nm ++节点与7nm重叠,7nm将在2022年完全占据主导位置。

  英特尔将在Xe图形架构中使用其EMIB(嵌入式多芯片互连桥)和3D Foveros技术。英特尔还透露,新的GP-GPU设计将为exascale Aurora超级计算机提供动力。

  

信用:英特尔

  英特尔公司的Murthy Renduchintala博士还公布了该公司新MCM(多芯片模块)设计的概念设计(右),其中包含几个XPU芯片,这些芯片表明它们不是CPU,而是与面料捆绑在一起。鉴于英特尔通过EMIB为其Xe Graphics引用了异构架构,这可能是Xe图形架构的潜在渲染。我们正在寻求确认。

  

信用:英特尔

  英特尔还公布了其10nm Ice Lake处理器的第一个框图。我们已经知道这个设计采用了Sunny Cove核心架构。英特尔称,Ice Lake的图形性能为2倍(由Gen11集成显卡提供),AI性能为2.5倍至3.5倍,Coffee Lake芯片的无线速度为3倍。我们可以看到,英特尔坚持其环形总线架构,而不是迁移到其更新的网状设计,并在芯片上集成了USB Type-C控制器。

  

信用:英特尔

  英特尔英特尔还将在2019年和2020年为客户端和服务器市场,10nm AgileX FPGA,10nm Nervana NNP-I,10nm通用GPU和Snow Ridge 5G-ready SoC发布10nm CPU。

  

信用:英特尔

  英特尔英特尔还将在2020年上半年推出10纳米服务器。英特尔宣布,Ice Lake-SP数据中心处理器已经向主要客户发货,其14纳米Cooper Lake处理器有望实现2020年交付。该公司表示,这些新处理器将拥有比现有型号更多的内核。从长远的角度来看,英特尔正在努力缩短服务器处理器发布之间的延迟,大约每四到五个季度发布一次。

  斯旺表示,14nm芯片供应将继续改善,预计第四季度将全面上市。英特尔还宣布今年不会建立任何新的NAND产能,但将在今年下半年推出96层NAND产品。在闪存前端推进之前,英特尔还在探索合作伙伴关系。据传,英特尔将与中国清华集团(Tsinghua Unigroup)作为潜在的合作伙伴,对NAND生产进行对话。

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