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三星宣布完成5nm EUV工艺开发,效率提升高达25%,功耗降低20%

admin| 2019-4-17 10:51 阅读 268 评论 0

  三星作为斗士,是不会轻易在没有战斗的情况下放弃半导体市场的宝座。该公司今天宣布,它已完成5nm FinFET工艺的开发,并为客户的样品做好准备,这一项新技术将为三星的战局扭转提供莫大的支持,尽管DRAM市场仍然处于下滑状态。

  普遍的共识是,三星今年将把半导体市场的领导权交给英特尔。IC Insights 在3月预测了这一点,Gartner 本月早些时候同意其研究副总裁言论,称该公司的“领先地位实际上建在沙滩上”。这个问题似乎并不在于三星本身,尽管内存价格快速下跌,但由于需求尚未满足供应,DRAM市场仍在苦苦挣扎。

  三星通过定期宣布新技术来回应对DRAM市场的担忧。

    最近几个月,我们一起来看看三星都做了哪些事情:

  1、第一个LPDDR5 SDRAM模块

  2、第一款嵌入式磁随机存取存储器(eMRAM)产品

  3、第一款符合HBM2E标准的产品

  4、第一代第三代10nm级(1z-nm)8Gb DDR4 DRAM

  5、在Hwaesong的一家新工厂投资翻了一番

  现在,该公司已将5纳米EUV流程添加到该列表中。三星在声明中表示其完成的5nm EUV工艺,与现有的7nm工艺技术相比,“可提供高达25%的逻辑区域效率提升,功耗降低20%或性能提高10%,从而使我们能够拥有更多创新的标准单元架构”。

  同时,三星还表示,它可以重复使用7nm工艺开发的大部分知识产权。这应该允许其现有客户“大大受益于降低的迁移成本,预先验证的设计生态系统,从而缩短他们的5nm产品开发。” 换句话说,三星希望这种新工艺技术的过渡尽可能无缝,以便快速发展。

  这足以阻止DRAM市场收入下降20%,Gartner预测三星将在今年受到影响,但目前的发展态势来看,一切皆存在变数。但正如我们之前所指出的那样,该公司正在奠定基础,以便它能够在DRAM市场复苏后与DRAM市场一起成长,而不是满足于自己的成就,利用新的增长产品将权力逐步重新夺回。

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